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IPB039N04LGATMA1_INFINEON/英飞凌_MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3天卓伟业
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
：IPB039N04LGATMA1
- 生产厂家
：英飞凌
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：40V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：4.5V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：3.9 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2V @ 45µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：78nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：6100pF @ 25V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：94W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：D²PAK（TO-263AB）
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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