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IPB034N06N3 G	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS™ power MOSFET 60V in D2PAK 7-pin package \n优势:\n• Highest system efficiency\n• Less paralleling required\n• Increased power density\n• System cost reduction\n• Very low voltage overshoot;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB034N06N3G	文件：680.54 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：680.54 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD034N06N3	文件：336.45 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD034N06N3G	文件：213.36 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor 文件：213.36 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IPB034N06N3 G
功能描述：
MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 60V 100A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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