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IPB021N06N3 G中文资料OptiMOS™ 3 Power-Transistor数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IPB021N06N3 G
- 功能描述：
MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO263 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO-263 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Infineon |
20+ |
NA |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
D2PAK(TO-263) |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SOT263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
D2PAK(TO-263) |
7000 |
询价 |
