订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>IPB014N06NATMA1>芯片详情
IPB014N06NATMA1_INFINEON/英飞凌_MOSFET MV POWER MOS天卓伟业
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
IPB014N06NATMA1
- 功能描述:
MOSFET MV POWER MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
相近型号
- IPB012N04NF2S
- IPB015N06NF2S
- IPB011N04NGATMA1
- IPB015N08N5
- IPB011N04NG
- IPB015N08N5ATMA1
- IPB011N04NF2SATMA1
- IPB016N06L3G
- IPB011N04NF2S
- IPB016N06L3GATMA1
- IPB011N04N
- IPB017N06N3
- IPB011N04LGATMA1
- IPB017N06N3G
- IPB011N04LG
- IPB017N06N3GATMA1
- IPB010N06NATMA1
- IPB017N08N5
- IPB010N06N
- IPB017N08N5ATMA1
- IPB017N10N5
- IPB009N03LGATMA1
- IPB017N10N5ATMA1
- IPB009N03LG
- IPB017N10N5LF
- IPB009N03L
- IPB017N10N5LFATMA1
- IPAW70R950CE
- IPAW70R600CEXKSA1
- IPB018N06NF2S
- IPAW70R600CE
- IPB019N06L3
- IPAW60R600P7SXKSA1
- IPB019N06L3G
- IPAW60R600P7SE8228
- IPB019N06L3GATMA1
- IPAW60R600P7S
- IPB019N08N3
- IPAW60R600CEXKSA1
- IPB019N08N3G
- IPAW60R380CEXKSA1
- IPB019N08N3GATMA1
- IPAW60R380CE
- IPB019N08N5
- IPAW60R360P7SXKSA1
- IPB019N08N5ATMA1
- IPAW60R360P7SE8228
- IPB019N08NF2SATMA1
- IPAW60R360P7S
- IPB020N04N