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IPM-L113	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IRFD113	文件：112.88 Kbytes Page：2 Pages	POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR ThisseriesofN-ChannelEnhancement-modePowerMOSFETutilizesGEsadvancedPowerDMOStechnologytoachievelowon-resistancewithexcellentdeviceruggednessandreliability. Thisdesignhasbeenoptimizedtogivesuperiorperformanceinmostswitchi	GESS GE Solid State	GESS
IRFD113	文件：250.45 Kbytes Page：8 Pages	CompactPlasticPackage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD113	文件：253.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Forautomaticinsertion •Compactplasticpackage •Endstackable •Fastswitching •Lowdrivecurrent •Easilyparalleled •Excellenttemperaturestability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPt	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD113PBF	文件：253.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE113	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	MultipleSmall-SignalTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
IRFF113	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS

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