TSMC昨（26）日宣布，已顺利在开放创新平台（Open Innovation PlatformTM）上，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用TSMC开放创新平台所规划的28纳米新产品设计定案（tapeout）数量已经达到89个。TSMC亦将于美国加州圣地亚哥举行的年度设计自动化会议（DAC）中，发表包括参考流程12.0版（Reference Flow12.0）、模拟/混合讯号参考流程2.0版（Analog/Mixed Signal Reference Flow2.0）等多项最新的客制化设计工具，强化既有的开放创新平台设计生态环境。

    TSMC28纳米设计生态环境已准备就绪，提供包括设计法则检查（DRC）、布局与电路比较（LVS）及制程设计套件（PDK）的基础辅助设计；在基础硅知识产权方面有标准组件库（standardcelllibraries）及内存编译程序（memorycompilers）；另外，此设计架构亦提供USB、PCI与DDR/LPDDR等标准接口硅知识产权。客户可经由TSMC-online下载这些设计工具与套件。一直以来，TSMC与电子设计自动化伙伴（EDA）在28纳米世代的合作相当紧密，共同追求设计工具的一致性，改善设计结果。目前EDA主要领导厂商Cadence、Synopsys与Mentor运用于28纳米芯片上的可制造性设计统一（UnitedDFM）架构便是一个很好的例子。

    TSMC参考流程12.0版新增加许多特色：可应用于透过硅基板（siliconinterposer）及硅穿孔（TSV）技术制造生产的二点五维与三维集成电路（2.5-D/3-DICs）、提高28纳米以模型为基础仿真可制造性设计的速度；此参考流程亦可运用在先进电子系统阶层设计（ESL），整合TSMC的功率、效能及面积制程技术。另外，此参考流程版本将首次呈现TSMC20纳米穿透式双重曝影设计（Transparent Double Patterning）解决方案，持续累积在创新开放平台架构下20纳米的设计能力。另外，模拟/混合讯号参考流程2.0版本提供先进的多伙伴模拟/混合讯号设计流程，协助处理复杂度与日俱增的28纳米制程效能与设计挑战，并解决在高阶可制造性设计（SuperiorDFM）与设计规范限制（RDR）间兼容性及可靠性问题。

    TSMC设计暨技术平台处资深处长侯永清表示：「我们相信客户能立即运用TSMC28纳米先进技术及产能优势来生产他们的设计；同时，客户们也能在不久的将来准备向更先进的20纳米世代设计迈进。通过与电子自动化设计厂商和硅知识产权伙伴间的紧密合作，TSMC已经建构了一个完备且稳固的28纳米设计生态系统，成功地协助客户达成产品设计的目标。此外，参考流程12.0版及模拟/混合讯号参考流程2.0版的推出亦能解决应用于下一世代28纳米与20纳米设计上所面临的关键瓶颈。」

    DAC大会上的新技术与设计方案

    参考流程12.0版及20纳米穿透式双重曝影

    随着半导体制程技术向前推进，金属导线厚度愈来愈小，目前微影曝光系统的曝影能力已无法因应20纳米制程技术发展。