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2ED21091S06FXUMA1 抗负瞬态能力强,VS 可承受 −11V 负电压,抗干扰好英飞凌。

2026-10-29 9:02:00
  • 2ED21091S06FXUMA1 SOI 绝缘技术:抗负瞬态能力强,VS 可承受 −11V 负电压,抗干扰好英飞凌。

2ED21091S06FXUMA1  抗负瞬态能力强,VS 可承受 −11V 负电压,抗干扰好英飞凌。

一,2ED21091S06FXUMA1(简称 2ED21091S06F)

制造商:Infineon(英飞凌)

类型:650V 半桥栅极驱动器(Half‑Bridge Gate Driver)

封装:DSO‑8(SOIC‑8,窄体)英飞凌

状态:量产(In Production),2026 年供货正常

二、核心参数(一眼看懂)

驱动对象:MOSFET / IGBT

拓扑:半桥(High‑Side + Low‑Side)英飞凌

高压等级:650V(VS 节点)英飞凌

自举电压:最高 675V(VB)英飞凌

输出电流:源出 0.29A / 灌入 0.7A英飞凌

电源 VCC:10V~20V英飞凌

传播延迟:典型 740ns(开通)/ 200ns(关断)英飞凌

上升 / 下降时间:100ns / 35ns

工作温度:−40℃ ~ +125℃(工业级)

包装:编带 2500pcs / 盘

三、关键特性(英飞凌 SOI 技术)

SOI 绝缘技术:抗负瞬态能力强,VS 可承受 −11V 负电压,抗干扰好英飞凌。

集成自举二极管(BSD):省去外部快恢复二极管,简化半桥 / LLC 设计英飞凌。

双通道欠压锁定(UVLO):VCC/VB 欠压保护,防止误驱动英飞凌。

内部死区 + 外部可编程:默认 540ns,可电阻设至 2.7μs,防上下管直通英飞凌。

输入兼容:3.3V/5V/15V 逻辑,带施密特触发,抗抖动英飞凌。

双功能 DT/SD 脚:可设死区或关断两个通道(停机)英飞凌。

四、典型应用

LLC 谐振变换器、半桥 PFC

电磁炉、电源适配器、服务器电源

电机驱动、工业电源、光伏微逆变器

五、型号后缀含义

2ED21091S06F:基础型号

X:无铅、RoHS

UMA1:DSO‑8 编带包装,工业级温度

企业

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    深圳市安富世纪电子有限公司

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