onsemi NTTFD1D8N02P1E 是一款高性能双 N 沟道功率 MOSFET，旨在为广泛的应用提供卓越的效率和紧凑性。该 MOSFET 的占用空间仅为 3.3 毫米 x 3.3 毫米，非常适合空间受限的设计。它具有较低的 RDS(on) 值，可最大限度地减少传导损耗，并具有较低的栅极电荷 (Qg)，可减少驱动器损耗，使其成为高效功率转换的绝佳选择。该器件符合 RoHS 标准且不含铅，确保符合现代环境标准。NTTFD1D8N02P1E 具有坚固的设计和高电流处理能力，适用于 DC/DC 转换器和系统电压轨等要求苛刻的应用。
特性
双 N 沟道配置
低 RDS(on) 值：4.2 mΩ (HS) 和 1.4 mΩ (LS)
尺寸小巧：3.3 毫米 x 3.3 毫米
低栅极电荷 (Qg)，可降低驱动器损耗
高电流处理：61 A (HS) 和 126 A (LS)
PowerTrench® 技术可提高效率
非对称设计，优化性能
符合 RoHS 规范且无铅
高热性能
低电容可实现更快的开关
高雪崩能量等级
表面贴装封装 (PQFN12)
宽工作温度范围：-55°C 至 +150°C
高功率耗散：25 W (HS) 和 36 W (LS)
适合用于高频应用
应用
DC/DC 转换器
系统电压轨
负载点 (POL) 转换器
便携式设备中的电源管理
电池供电型应用
电机驱动
LED 照明
电信电源
工业电源
汽车电源系统
服务器和数据中心电源管理
消费类电子产品
可再生能源系统
医疗设备
航空航天和国防系统
