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MT29F1G08ABADAH4:D闪存 - NAND 存储器 IC 1Gb 并联 63-VFBGA(9x11)

2026-4-10 9:01:00
  • MT29F1G08ABADAH4:D闪存 - NAND 存储器

MT29F1G08ABADAH4:D闪存 - NAND 存储器 IC 1Gb 并联 63-VFBGA(9x11)

存储器类型

非易失

存储器格式

闪存

技术

闪存 - NAND

存储容量

1Gb

存储器组织

128M x 8

存储器接口

并联

写周期时间 - 字,页

-

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

工作温度

0°C ~ 70°C(TA)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

63-VFBGA

供应商器件封装

63-VFBGA(9x11)