英飞凌近日推出旗下首款符合AEC-Q101标准的100V CoolGaN™汽车级晶体管系列，同时已开始提供相关的预生产产品样品，涵盖高压CoolGaN汽车晶体管及双向开关产品。英飞凌氮化镓产品线负责人Johannes Schoiswohl表示，100V GaN汽车晶体管的量产与未来高压产品谱系的扩展，是推动汽车行业高效、可靠功率器件发展的重要里程碑。
此次发布的100V G1系列，采用增强型设计，典型导通电阻低至3.3mΩ，集成于3x5mm PQFN紧凑封装中，在-40°C至+150°C温区内保持稳定性能。得益于优异的高频特性，该产品可将开关损耗降低70%以上，并有效缩减48V/12V混合动力架构下区域控制单元及主DC-DC转换器中的磁性元件体积，空间节省超30%。
在实际应用中，GaN晶体管的高频能力显著提升了混合电源架构下电感、电容的效率与体积利用率，并在提升整体能效的同时，为ADAS、激光雷达、线控转向以及车载音响等多个系统提供了高效供电方案。英飞凌方面指出，随着汽车行业从传统12V系统逐渐向更为先进的48V架构演进，尤其是在软件定义汽车加速渗透的背景下，氮化镓技术将持续发挥关键作用，不仅推动系统效能和性能提升，还助力线控转向、底盘实时控制等新一代创新功能的落地，进一步优化驾驶体验与操控精准性。
此外，英飞凌同步推出专为高压应用打造的CoolGaN晶体管及双向开关预生产样品，面向未来车载充电器（OBC）、牵引逆变器等高压场景。其650V G5系列产品已成功应用于消费电子与数据中心领域，接下来也将逐步延伸至汽车高压市场。
目前，GaN器件在车载领域的应用日益广泛。业内企业如英诺赛科已量产多款车规级GaN产品，例如40V的INN040FQ045A-Q（FCQFN封装，4.5mΩ导通电阻），通过多项严苛验证，适用于高频DC-DC和电机驱动；100V的INN100W135A-Q采用超小型封装，开关速度显著优于硅材料，是高阶自动驾驶激光雷达的核心部品。
主流Tier1供应商也加快相关产品落地步伐，如汇川联合动力推出的6.6kW GaN二合一OBC，采用先进PFC变频与动态母线管理，实现96%满载效率和4.8kW/L高功率密度，整机重量降低20%；联合电子推出的超级氮化镓车载充电机运用“GaN+SiC”组合，达到6.8kW/L密度并显著降低磁件尺寸；浩思动力将GaN集成至增程器，提高发电效率2%，缩减电控体积30%；阳光电动力的二合一OBC则凭借GaN和单级架构，达成6.1kW/L功率密度与96.2%全电压充电效率，设备重量降低25%以上。
自收购GaN Systems以来，英飞凌已实现电压型与电流型驱动技术的整合，产品线覆盖40V至700V全段。在车规级GaN产品领域，得益于GaN Systems的研发基础，英飞凌正式跻身车规级GaN FET市场。展望未来，英飞凌将通过Si、SiC及GaN的技术协同，构建涵盖高低压的完整汽车功率器件解决方案，助力行业技术升级与创新落地。
