2EDL8112GXUMA1” 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高侧和低侧半桥栅极驱动器（Half-bridge Gate Driver），广泛用于马达驱动、开关电源、逆变器等应用场景。下面我将为你详细介绍其主要应用功能和关键参数。
一、2EDL8112GXUMA1 主要应用功能
高侧/低侧N沟道MOSFET驱动
同时驱动一对高侧与低侧MOSFET，非常适合Full Bridge/半桥拓扑、同步降压（Buck/Boost）拓扑（如马达控制、DC/DC变换器）等。
自举供电（Bootstrap）
支持高侧MOSFET的自举供电功能，无需额外组合高压驱动电路。
高抗干扰能力
具有较强的抗噪声能力，能够在恶劣电磁环境中稳定工作。
兼容低压逻辑输入
支持3.3V、5V等低压MCU/FPGA的控制信号输入。
死区时间控制
内置可编程死区时间（Dead Time），防止上下管直通，提高系统可靠性。
欠压保护（UVLO）
内置VCC欠压锁定功能，确保MOSFET不会在危险低压下误导通。
二、2EDL8112GXUMA1 关键参数
表格
参数 值或区间 说明
通道数 2 半桥结构
电源电压 VCC 8V ~ 20V 推荐12V
输出峰值电流 4A (高侧), 6A (低侧) 大驱动能力
输入逻辑电平 3.3V, 5V TTL/CMOS兼容 MCU/FPGA
最大分段电压 600V 适用于中高压
工作温度范围 -40°C ~ +125°C 工业级
传播延迟时间 ~50ns 通常 驱动响应快
死区时间 可配置，典型35ns-200ns 防直通
封装 SOIC-8 SMD封装
三、典型应用
BLDC/PMSM 无刷直流电机驱动
电源适配器、DC-DC电源模块
逆变器、电池管理系统
通用半桥/全桥MOSFET驱动
四、典型原理框图简析
2EDL8112GXUMA1的典型应用会包括以下关键连接：
VCC 接电源，VS、VB 为自举和高侧供电
HO 接高侧MOSFET
LO 接低侧MOSFET
LIN/HIN 为逻辑输入端
COM 接地
（具体原理图可参考英文Datasheet或应用笔记）
