零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4300 pF @ 20 V
FET 功能-
功率耗散（最大值）3.8W（Ta），110W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
等级-
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳8-PowerTDFN，5 引线
基本产品编号NTMFS5
