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FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)860mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）150 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）5.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）458 pF @ 16 V
FET 功能-
功率耗散（最大值）170mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
等级-
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-563
封装/外壳SOT-563，SOT-666
基本产品编号NTZS3151
