BSP51E6327
品牌: Infineon(英飞凌)
封装: SOT-223-4
类型: NPN
集射极击穿电压(Vceo): 45V
直流电流增益(hFE): 2000
耗散功率(Pd): 1.5W
类目: 达林顿管
BSP51E6327 中文资料 数据手册 详细参数
2026-5-13 10:59:00
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BSP51E6327 60000PCS
供应商
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