S-821A/1B 系列 IC 可提供金属壳电池短路保护所必需的 N 沟道高压侧保护。
通过将控制充电和放电的 N 沟道 MOSFET 放置在锂电池的正极（高压侧），电池组和系统的地电平可以达到相同的电压，有助于简化系统设计。
S-821A/1B 系列内置三重升压电荷泵，可以提高 N 沟道 MOSFET 的驱动电压。这降低了导通电阻，抑制了 MOSFET 产生的热量并提高了充电期间的安全性。
应用
锂离子充电电池组
锂聚合物充电电池组
S-821AAAA-I8T1U电池保护 IC
2025-8-3 10:02:00
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ABLIC 保护 IC 具有内置三重升压电荷泵，可提高 N 沟道 MOSFET 的驱动电压
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