CRTS084N08N，这是华润微电子（CRMICRO）生产的一款 N 沟道场效应 MOSFET。以下是其产品说明：
基本参数
漏源电压（VDS）：80V。
漏极电流（ID）：110A。
导通电阻（RDS (on)）：典型值 6mΩ，最大值 7.5mΩ（TJ = 25℃）；典型值 11.4mΩ，最大值 14mΩ（TJ = 150℃）。
栅源阈值电压（VGS (th)）：2.4 - 3.6V。
输入电容（Ciss）：6533pF。
输出电容（Coss）：338pF。
反向传输电容（Crss）：165pF。
总栅极电荷（QG）：119nC。
产品特点
采用先进技术：运用 CRM（CQ）先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高效率。
具备多种保护特性：有良好的热稳定性，热阻参数为结 - 壳热阻（RthJC）0.73℃/W，结 - 环境热阻（RthJA）91℃/W（最小封装尺寸），能够承受较高的温度，可适应多种工作环境。
应用领域
电机控制和驱动：可用于各类电机的驱动电路，通过对 MOSFET 的开关控制，实现对电机的速度、转向等精确控制。
不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中，用于功率转换和电源管理，确保在停电等情况下能够稳定地为负载提供电力。
该器件采用 TO - 263 封装，安装类型为插件式。
