制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LSON-CLIP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms, 2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 12.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 8.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
下降时间: 2.7 ns
正向跨导 - 最小值: 87 S / 51 S
高度: 1.5 mm
长度: 6 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7 ns
系列: CSD87352Q5D
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 5 mm
单位重量: 157.200 mg
