首页>商情资讯>企业新闻

NTF5P03T3低导通电阻P沟道MOSFET,优化电源与负载管理

2025-9-19 10:11:00
  • NTF5P03T3是一款P沟道功率MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,专为高效电源管理和负载控制应用设计。该器件支持高达-30V的漏源电压,具有快速开关性能和低功耗特性,适用于直流电源开关、电机驱动和负载保护等场景。其紧凑封装和可靠性能使其成为工业设备、

NTF5P03T3低导通电阻P沟道MOSFET,优化电源与负载管理

NTF5P03T3原包原装现货价好

代理现货NTF5P03T3 供应

有关咨询NTF5P03T3 价格

NTF5P03T3 供货情况

NTF5P03T3 库存数量

NTF5P03T3 规格书

NTF5P03T3 产品购买,请联系!

产品属性 属性值 选择属性

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

REACH - SVHC: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 5.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 15 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.13 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 20 ns, 24 ns

正向跨导 - 最小值: 2 S

高度: 1.57 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFETs

上升时间: 33 ns, 45 ns

系列: NTF5P03

工厂包装数量: 4000

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 38 ns, 23 ns

典型接通延迟时间: 10 ns, 16 ns

宽度: 3.5 mm

单位重量: 250 mg

公司成立2008年,拥有16年供货经验 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

供应商

  • 企业:

    深圳市毅创辉电子科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    周艳丽

  • 手机:

    13684914114

  • 询价:
  • 电话:

    13684914114

  • 传真:

    0755-83998525

  • 地址:

    深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座A座20层2028室