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制造商: MACOM
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 6 A
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
Rds On-漏源导通电阻: -
工作频率: 175 MHz
增益: 18 dB
输出功率: 30 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 211-07-3
封装: Tray
商标: MACOM
配置: Single
Pd-功率耗散: 115 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 20
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 40 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
单位重量: 4.200 g
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