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IKD10N60RC2ATMA1晶体管 IGBT 沟槽型场截止 600 V 18.8 A 79 W 表面贴装型 PG-TO252-3

2025-8-9 9:31:00
  • IKD10N60RC2ATMA1晶体管 IGBT

IKD10N60RC2ATMA1晶体管 IGBT 沟槽型场截止 600 V 18.8 A 79 W 表面贴装型 PG-TO252-3

零件状态在售

IGBT 类型沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)18.8 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)30 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,10A

功率 - 最大值79 W

开关能量320µJ(导通),170µJ(关断)

输入类型标准

栅极电荷48 nC

25°C 时 Td(开/关)值14ns/250ns

测试条件400V,10A,49 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)104 ns

工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型表面贴装型

封装/外壳TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装PG-TO252-3

基本产品编号IKD10N