FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 380mA（Ta）
驱动电压（） 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（） 2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（） 0.3 nC @ 4.5 V
Vgs（） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（） 50 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（） 370mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号 2N7002
