製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-416-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續漏極電流: 200 mA
Rds On - 漏-源電阻: 2.2 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 350 mV
Qg - 閘極充電: -
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 100 mW
通道模式: Enhancement
公司名稱: U-MOSIII
系列: SSM3K36
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Toshiba
配置: Single
高度: 0.7 mm
長度: 1.6 mm
產品類型: MOSFET
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 36 ns
標準開啟延遲時間: 18 ns
寬度: 0.8 mm
每件重量: 2.400 mg
