零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）40 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）635 pF @ 15 V
FET 功能-
功率耗散（最大值）530mW（Ta），4.46W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装6-TSOP
封装/外壳SC-74，SOT-457
基本产品编号PMN30
