零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 5 V
Vgs（最大值）±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1992 pF @ 25 VFET 功能
-
功率耗散（最大值）85W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
等级汽车级
资质AEC-Q101
安装类型表面贴装型
供应商器件封装LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳SC-100，SOT-669
基本产品编号BUK9Y19
