Texas Instrument LM74912-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背N沟道MOSFET。实现此功能是为了模拟具有电源路径开/关控制的理想二极管整流器，并具有过压、欠压和输出短路保护。3V至65V宽输入电源支持保护和控制12V和24V汽车电池供电ECU。该器件可以保护负载并承受低至-65V负电源电压。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 驱动第一个MOSFET以取代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。该器件在电源路径中设有第二个MOSFET，在过流和过压事件时，可通过HGATE控制实现负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供基于外部MOSFET VDS检测的短路保护以及可调电流限制。当输出端检测到短路情况时，器件会锁断负载断开MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，并在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。Texas Instruments LM74912-Q1最大额定电压为65V。
特性
_符合汽车应用类AEC-Q100标准
_设备温度等级1（-40°C至+125°C环境工作温度范围）
_支持功能安全
_来辅助功能安全系统设计的文档
_3V 到 65V 的输入范围
_反向输入保护低至-65V
_以共漏极配置驱动外部背靠背N沟道MOSFET
_在理想二极管操作下，可实现10.5mV从A至C的正向压降调节
_低反向检测阈值 (-10.5mV) 和快速响应 (0.5μs)
_峰值栅极 (DGATE) 导通电流：20mA
_峰值DGATE关断电流：2.6A
_可调过压和欠压保护
_MOSFET闭锁状态下输出短路保护
_超低功耗模式下关断电流为2.5µA（EN=低）
_睡眠模式下电流为6µA（EN=高，SLEEP=低）
_采用合适的瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管，符合汽车ISO7637瞬态要求
_采用4mm × 4mm 24引脚VQFN封装
应用
_汽车电池保护
_ADAS域控制器
_信息娱乐与仪表板
_汽车外部放大器
_用于冗余电源的有源ORing
