制造商产品型号: IXTH80N65X2
类别 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商 IXYS
系列 Ultra X2
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 40 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 144 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7753 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 890W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247（IXTH）
封装/外壳 TO-247-3
基本产品编号 IXTH80
