NVMFWS003N10MC单N沟道功率MOSFET

安森美半导体NVMFWS003N10MC单N沟道功率MOSFET具有169A连续漏极电流、3.1mΩ（10V RDS (ON)时）以及100V漏极-源极电压。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm扁平引线封装，开发用于紧凑高效的设计。安森美半导体符合AEC-Q101标准的MOSFET具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。
特性

_占位面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
_低RDS (on)，可最大限度地降低导通损耗
_QG 和电容较小，可使驱动器损耗最小化
_可湿性侧翼产品

_符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
_无铅、无卤/无BFR、无铍，符合RoHS指令

应用

_48V系统
_开关电源
_反向电池保护

_电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥等）

规范

_连续漏极电流: 169A（最大值）
_10V时为3.1mΩ，4.5V RDS (ON) 最大值为3.8mΩ
_漏极-源极电压：100V
_栅极-源极电压：±20V

_脉冲漏极电流：900A
_工作结温和存放温度范围：-55°C至175°C