制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV

Id-连续漏极电流: 8 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 89.3 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 320 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerMESH

系列: STW9N150

封装: Tube

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 52 ns

高度: 20.15 mm

长度: 15.75 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 14.7 ns

600

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 86 ns

典型接通延迟时间: 41 ns

宽度: 5.15 mm

单位重量: 6 g