产品型号：VP2450N8-G

制造商编号：

VP2450N8-G

制造商：Microchip Technology

说明：

MOSFET 500V 30Ohm

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数据表:

VP2450N8-G 数据表 (PDF)

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制造商: Microchip

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-89-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 160 mA

Rds On-漏源导通电阻: 30 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: -

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.6 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Microchip Technology

配置: Single

下降时间: 25 ns

正向跨导 - 最小值: 150 mS

高度: 1.6 mm

长度: 4.6 mm

产品: MOSFET Small Signals

产品类型: MOSFET

上升时间: 25 ns

2000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: FET

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 2.6 mm

单位重量: 52.800 mg