近期，媒体报道苹果可能会改变存储容量，不再使用主流三层单元（TLC）NAND 闪存，而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND闪存。
报道指出，目前QLC NAND主要应用于PC OEM和消费级SSD领域。
与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据，或者使用更少的单元储存更多的数据，而这可以降低生产成本。
不过，业界指出，在闪存可靠性，以及写入周期寿命方面，QLC不及TLC。
因此，一些开发QLC的存储厂商往往会通过超额单元配置和更好的写入周期管理功能来补偿QLC较低的写入周期寿命。
封面图片来源：拍信网
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