FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 340mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 2.5V @ 250µA
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 40 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 350mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
