FDMA1032CZ MOSFET是一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，广泛应用于各种电子设备和系统中。它具有优异的性能和稳定性，适用于高频和高压应用。
FDMA1032CZ MOSFET采用先进的技术和材料制造，具有低导通电阻和高开关速度。它能够有效地控制电流和电压，提供稳定的功率输出。此外，它还具有较低的热阻和优异的热稳定性，能够在各种环境条件下可靠工作。
在现代电子设备中，FDMA1032CZ MOSFET被广泛应用于功率放大器、开关电源、电机驱动器等领域。它能够提供高效的功率转换和控制，为设备和系统的稳定运行提供了重要支持。
总之，FDMA1032CZ MOSFET是一种高性能、稳定可靠的功率晶体管，适用于各种高频和高压应用。它的广泛应用将进一步推动电子技术的发展，为人们的生活带来更多便利和可能性。
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MicroFET-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.4 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDMA1032CZ
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降时间: 8 ns, 11 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S, - 11 S
高度: 0.75 mm
长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns, 11 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 14 ns, 37 ns
典型接通延迟时间: 8 ns, 13 ns
宽度: 2 mm
单位重量: 40 mg
