场效应管(MOSFET) FDBL0260N100 onsemi(安森美)

2023-9-9 11:59:00
  • FDBL0260N100 onsemi(安森美) MO-299A 20K现货供应

场效应管(MOSFET)  FDBL0260N100  onsemi(安森美)

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-LL8-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 200 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 83 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

系列: FDBL0260N100

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 19 ns

正向跨导 - 最小值: 170 S

高度: 2.4 mm

长度: 10.48 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 34 ns

2000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 47 ns

典型接通延迟时间: 26 ns

宽度: 9.9 mm

单位重量: 850.050 mg