TP4102，DFN2*2-8
TP4100/TP4101/TP4102 是一款完整的单节锂离子电池充电管理、放电保护芯片，首创5V 电源正负极反接保护，带电池正负极反接保护，兼容大小3MA-1000MA 充电电流。其采用恒定电流/恒定电压线性控制，薄型DFN 与TSOT 封装与较少的外部元件数目使其成为便携式产品应用的理想选择。
TP4100 的放电管理包含了欠压保护、过充保护、输出短路保护、输出过流保护、芯片过温保护以及多种保护后的延时自激活恢复，其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和两个用于指示充电状态引脚（TP4101有一个充电指示状态引脚）。
TP4100采用8 引脚DFN3*3mm 封装，充电电流范围3MA-1000MA。
TP4101采用6 引脚TSOT23 封装，充电电流范围3MA-600MA。
TP4102采用8 引脚DFN2*2mm 封装，充电电流范围3-1000MA
TP4055是一款完整的单节锂离子电池充电器，带电池正负极反接保护，采用恒定电流/恒定电压线性控制。其SOT23-5 封装与较少的外部元件数目使得TP4055 成为便携式应用的理想选择。
TP4055可以适合USB电源和适配器电源工作。TP4055采用了内部PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压固定于4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当电池达到4.2V之后，充电电流降至设定值1/10，TP4055 将自动终止充电。
当输入电压（交流适配器或USB 电源）被拿掉时，TP4055自动进入一个低电流状态，电池漏电流在2uA以下。TP4055的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。
▶ 锂电池正负极反接保护
▶ 最高输入可达9V
▶ 可编程充电电流500mA
▶ 用于单节锂离子电池
▶ 无需MOSFET、检测电阻器或隔离二极管
▶ 精度达到±1%的4.2V 预设充电电压
▶ 可直接从USB 端口给单节锂离子电池充电能
▶ 恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功
▶ 自动再充电
▶ 1个充电状态开漏输出引脚
▶ C/10 充电终止
▶ 待机模式下的供电电流为40uA
▶ 2.9V 涓流充电
▶ 软启动限制了浪涌电流
▶ 采用5引脚的SOT23-5封装
MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
低压MOS管
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
中压MOS管
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
高压MOS管
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
