bychip可替代AO4828

bychip可替代_AO4828导读

2、金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）（本文的主角）。场效应管主要有两种类型： 1、结型场效应管（junction FET—JFET)（不是本文讨论范围）。

图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。

bychip可替代_AO4828

bychip可替代

MOS管全名为：金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管。

在P型衬底和两个N型半导体 之间加一层 二氧化硅（SiO?）绝缘膜，然后通过多晶硅引出引脚组成栅极（G）。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区： 可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。

电流ID为0，管子不工作。夹断区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。

bychip可替代_AO4828

AO3415

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。

场效应管的工作电流不应超过 ID 。一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗，判断是否会超过 ID。ID(导通电流) 最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。

FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。

bychip可替代_AO4828

如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。

这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。

文章来源：www.bychip.cn