技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 35 A
Rds On - 漏-源電阻: 80 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5 V
Qg - 閘極充電: 63 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 227 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: Vishay Semiconductors
下降時間: 31 ns
互導 - 最小值: 4.6 S
