型号： NP75P04YLG-E1-AY
品牌： RENESAS(瑞萨)
封装： HSON-8
描述：类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：138W；1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.7mΩ@37.5A,10V
NP75P04YLG-E1-AY是一个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件的型号。在没有具体的参数表提供的情况下，我只能向您提供一般MOSFET器件的一些基本参数。下面是一些可能的参数：
静态电性能：
阻抗参数：输入电阻（Rin）、输出电阻（Rout）
门电容（Ciss、Coss、Crss）
压降特性：漏-源电阻（RDS(on)）、漏-源电压（VDS）
动态响应：
开关特性：开关时间（ton、toff）、过渡时间（tr、tf）
传导损耗和开关损耗
温度特性：
温度系数：漏-源电阻的温度系数（RDS(on)）等
