CSD87588N是德州仪器（Texas Instruments）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。该器件具有以下主要功能：
1. 高电流承载能力：CSD87588N具有较高的电流承载能力，可在高功率应用中提供可靠的电流传输和开关能力。
2. 低导通电阻：该MOSFET具有低导通电阻，能够降低功率损耗和热量产生，提高系统效率。
3. 快速开关速度：CSD87588N具有快速的开关速度，可以实现高频率开关操作，适用于需要快速响应和高效能转换的应用。
4. 低输入电容：该器件具有较低的输入电容，能够降低输入电荷和开关损耗，提高开关效率。
5. 高压耐受能力：CSD87588N能够承受较高的电压，适用于高压应用。
6. 低漏电流：该MOSFET具有低漏电流特性，能够减少功耗和热量产生。
总之，CSD87588N是一款高电流承载能力、低导通电阻、快速开关速度和高压耐受能力的功率MOSFET产品，适用于各种功率电子应用，如电源管理、电机驱动、LED照明和电动汽车等领域。
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PTAB-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.4 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V
Qg-栅极电荷: 2.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
系列: CSD87588N
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
下降时间: 6.3 ns
正向跨导 - 最小值: 93 S
高度: 0.48 mm
长度: 5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 36.7 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20.1 ns
典型接通延迟时间: 12.1 ns
宽度: 2.5 mm
单位重量: 54.600 mg
