这种独特的分立式产品采用四种不同的封装类型，提供高达 140 A 的高额定电流产品组合，与前几代产品相比，传导参数 VCE(sat) 降低 50%，开关损耗降低多达 84%。它们固有地提供了简单的 EMI 设计和在恶劣条件（包括 HV-H3TRB 和宇宙射线稳健性）应用中的更高可靠性。这项技术有史以来第一次可用于 1,200 V 分立式 IGBT 市场。查看包括 H7、S7 和 T7 系列在内的完整产品系列，这些系列具有针对特定应用的优化性能。
S7 系列：1,200 V TRENCHSTOP IGBT7 S7 产品组合是所有需要短路能力/稳固性的工业应用的最佳选择。基准效率和耐短路分立器件提供的饱和电压比前几代产品至少低 10%。精选器件与极佳软特性的完全额定 EC7（发射极控制）二极管共封装，可显着降低 IGBT 饱和度 VCE(sat) 和低 Qrr。该系列提供卓越的可控性和短路耐用性，扩展了传统 IGBT 器件的基准。
H7 系列：1,200 V IGBT 共封装分立器件使用 TRENCHSTOP IGBT7 H7 结合发射极控制的 EC7 快速二极管技术，提供特定、同类最佳的传导和开关功率损耗性能，结合恶劣条件下的稳健性以及独特的高额定电流产品组合，涵盖 40 A 至 140 A，采用 TO-247 封装。由此产生的性能有助于满足现代快速切换工业逆变器系统日益增长的要求。
现有 T7 系列：这个 650 V 系列是第一个采用最新微图案沟槽技术设计的系列，可提供无与伦比的控制和性能，以及一个续流二极管，可显着降低损耗、提高效率和增加功率密度。它旨在在单个解决方案中实现从低于 5 kHz 到 40 kHz 的开关频率灵活性。它是前几代产品的一对一替代产品，具有改进的性能并针对工业电机驱动和控制进行了优化。
特性
额定电流高达 140 A 的高功率密度（仅限 H7）
具有低 EMI 辐射的快速开关行为
针对目标应用优化的二极管，具有极佳的软特性且 Qrr 值低（特定器件）
可以选择低栅极电阻（低至 5Ω），同时保持出色的开关行为
提供 Tj（最大）+175°C
最多四种封装选择，具体取决于系列
通过 JEDEC 认证，适用于目标应用
无铅引线电镀
符合 RoHS 规范
应用
电动汽车快速充电
工业加热和焊接
光伏能源系统解决方案
不间断电源 (UPS)
工业电机驱动和控制
