制造商: onsemi
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 54 A
Pd-功率耗散: 390 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: HGTG18N120BND
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 54 A
集电极最大连续电流 Ic: 54 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: IGBT Transistors
子类别: IGBTs
宽度: 4.82 mm
零件号别名: HGTG18N120BND_NL
单位重量: 6.390 g
▲HGTG18N120BND基于非− 穿通（NPT）IGBT设计。IGBT是许多在中等频率下运行的高压开关应用的理想选择，其中低传导损耗是必不可少的，例如：UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
●特征
■26安，1200伏，TC=110摄氏度
■低饱和电压：VCE（sat）=2.45 V@IC=18 A
■典型下降时间：TJ=150°C时为140 ns
■短路额定值
■低传导损耗
■这个设备是Pb−自由的
