制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 53 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
通道模式: Enhancement
系列: E
封装: Tube
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22 ns
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