LM7912L-TO220T-TG_UTC代理商导读
U74HC165是一个8位并行负载移位寄存器，具备互补串行输出的功能，且可直接覆盖负载数据输入和门控时钟输入，并可实现并行到串行的数据转换。
AMD同样也是受益于ChatGPT的爆火，近日接到了不少客户的CPU、GPU急单，并向台积电扩大了拉货力道；苹果同样也扩大了其AI芯片的下单规模。
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U74HC595AG-SOP16R-TW0G
82N30G-5 SOT-23 T/R、LM393G SOP-8 T/R、2N7002ZDWG(E) SOT-363 T/R-R、TL431G-A(T) TO-92 T/B、75232G(W2) TSSOP-20 T/R、LR1148G-ADJ SOT-25 T/R、LD1117AG-3.3V-A-Q SOT-223 T/R、LD2117AG-ADJ-A SOT-223 T/R、2SD669AL-D TO-252 T/R、UG9KG SOT-363 T/R。
为了避免上述误动作发生，推荐VCC 电容尽量不要采用过低值，VCC电容值越大，待机功耗越低。客户不必担心VCC 电容偏高导致系统启动时间过长问题，因为IC 本身含有高压启动开关，具有大电流恒流充电特性。。
U74AHC595G TSSOP-16 T/R、UT3419G SOT-23 T/R、U74LVC1G04G SOT-353 T/R、UZ2085G-ADJ TO-252 T/R、U74AUP1G07G SOT-353 T/R、LM321G SOT-23-5 T/R、TL431HL-A TO-92 T/B、LD1117AG-ADJ-A-Q SOT-223 T/R、DTC123JG SOT-23 T/R、TL431G-3 SOT-23 T/R。
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。
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业内预计微软、谷歌等硅谷大厂也将同步加大向英伟达的采购力度。从下游来看，受益于ChatGPT走红，英伟达客户对于AI芯片的需求快速飙升。据悉，OpenAI已采用约2.5万颗英伟达GPU来满足其当前的服务器需求，且规模持续扩增中。
9NM50G-TO252R-TG\BC808L-SOT23.3R-25-TG\LR9102G-SC59.5R-18-TG\LM358G-SOP8R-2TW2G\BC847G-SOT23.3R-B-TG\UPC1008G-LSOP4R-TG 。
UPC817DG-DIP4T-TG\U74LV1T34G-SOT353R-TG\U74LVC126AG-TSSOP14R-TG\UT100N03L-TO220T-TG。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
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