DGD05473 高频栅极驱动器支持驱动 N 沟道 MOSFET浮动高压侧驱动器的额定电压最高 50 V。器件逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平（低至 3.3 V）兼容，可轻松与 MCU 连接。高压侧和低压侧的 UVLO 可保护 MOSFET 免受电源损耗。为保护 MOSFET，交叉传导防止逻辑会防止 HO 和 LO 输出同时开启。快速且匹配良好的传播延迟允许更高的开关频率，从而使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的电源开关设计。为最大限度减少空间占用，包含一个内部阴极负载二极管。DGD05473 的工作温度范围是 -40°C 至 +125°C，采用 U-DFN3030-10 封装。
特性
50 V 浮动高压侧驱动器
在半桥配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
1.5 A 拉电流/2.5 A 灌电流输出能力
包括内部阴极负载二极管
用于高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定 (UVLO)
延迟匹配最大值为 5 ns
传播延迟典型值为 20 ns
逻辑输入（HIN、LIN 和 EN）3.3 V 能力
超低待机电流：小于 1 μA
扩展温度范围：-40°C 至 +125°C
无铅且符合 RoHS 规范
无卤素、无锑的“绿色”器件
符合 AEC-Q101
支持 PPAP
采用 U-DFN3030-10 封装
应用
电机控制
电池供电的手持工具
DC/DC 转换器
电子烟装置
D 类功率放大器
