ZXMS6004DT8TA ZXMS6004DT8 1.2A 60V 500欧姆 210mJ N通道 功率场效应管, MOSFET
型号： ZXMS6004DT8TA
品牌： DIODES(美台)
封装： SM8
zxms6004分8
60V N通道自保护增强模式
智能场效应晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管
摘要
连续漏极-源极电压60 V
导通电阻500 mΩ
标称负载电流（VIN=5V）1.2 A
夹紧能量210 mJ
说明
ZXMS6004DT8是双自保护低侧MOSFET
具有逻辑电平输入。它集成了过温、过电流、过电压（有源箝位）和ESD保护逻辑电平
每个通道的功能独立。ZXMS6004DT8是
作为3.3V或5V驱动的通用开关的理想选择
微控制器在恶劣环境中的标准
MOSFET不够坚固。
特征
•紧凑型双包装
•低输入电流
•逻辑电平输入（3.3V和5V）
•具有自动重启功能的短路保护
•过电压保护（有源箝位）
•热关机，自动重启
•过电流保护
•输入保护（ESD）
•高连续电流额定值
应用程序和信息
•两个完全隔离的独立通道
•特别适用于具有高浪涌电流的负载，如灯具和电机。
•开关应用中的所有类型的电阻、电感和电容负载。
•μC兼容电源开关，适用于12V和24V DC应用。
•汽车级。
•更换机电继电器和分立电路。
•线性模式功能-限流保护电路设计为去激活
以最小化导通状态功耗。最大直流工作电流为
因此由封装/板组合的热性能决定
而不是通过保护电路。这不会损害产品在低VDS下的自我保护能力。
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SM-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: -
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.16 W
通道模式: Enhancement
商标名: IntelliFET
商标: Diodes Incorporated
配置: Dual
下降时间: 15 us
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 us
系列: ZXMS600
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 us
典型接通延迟时间: 5 us
单位重量: 117 mg
还有：
LTC1550CS8-4.1#TRPBF
LTC1550LIGN#TRPBF
LTC1551CS8-4.1#TRPBF
LTC1551LCS8-4.1#TRPBF
LTC1555LEGN#TRPBF
LTC1563-3IGN#TRPBF
LTC1622CS8#TRPBF
LTC1622IS8#TRPBF
S912ZVL64F0MLF
STM32F030C8T6
A3981KLPTR-T
TIC12400QDCPRQ1
SN74LVC1G08DBVR
LTC1642IGN#TRPBF
LTC1643AL-1IGN#TRPBF
LTC1645CS8#TRPBF
LTC1645IS8#TRPBF
LTC1646IGN#TRPBF
LTC1647-3IGN#TRPBF
LTC1663-8IMS8#TRPBF
