SIR624DP-T1-GE3

2022-12-6 14:48:00
  • SIR624DP-T1-GE3

製造商: Vishay

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: PowerPAK-SO-8

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 200 V

Id - C連續漏極電流: 18.6 A

Rds On - 漏-源電阻: 50 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V

Qg - 閘極充電: 30 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 52 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: TrenchFET, PowerPAK

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: Vishay / Siliconix

配置: Single

下降時間: 8 ns

互導 - 最小值: 26 S

產品類型: MOSFET

上升時間: 18 ns

系列: SIR

原廠包裝數量: 3000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

標準斷開延遲時間: 16 ns

標準開啟延遲時間: 9 ns

每件重量: 506.600 mg