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STN1HNK60产品资料

2023-4-1 9:50:00
  • 原装正品,力挺实单

STN1HNK60产品资料

产品属性 属性值

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 400 mA

Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.25 V

Qg-栅极电荷: 7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.3 W

通道模式: Enhancement

商标名: SuperMESH

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 25 ns

高度: 1.8 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

系列: STN1HNK60

工厂包装数量:4000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 6.5 ns

宽度: 3.5 mm

单位重量: 250 mg