制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel? 得捷定制卷带
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
740 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro3?/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
IRLML2502
