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SI1902CDL-T1-GE3

2022-12-6 9:27:00
  • 优势渠道

Product Status

在售

FET 类型

2 N-通道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

235 毫欧 @ 1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

3nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

62pF @ 10V

功率 - 最大值

420mW

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

SC-70-6

基本产品编号

SI1902