TLJT157M004R0800_TLJT157M004R0800导读
这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。
TLJT157M004R0800_TLJT157M004R0800
TAJB226M016RNJ
三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
TLJT157M004R0800_TLJT157M004R0800
TAJV227K016RNJ
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
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开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。
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