制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 41.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11.5 ns
系列: STB33N65M2
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 72.5 ns
典型接通延迟时间: 13.5 ns
单位重量: 4 g
